Con riferimento alla quantizzazione nella direzione ortogonale all'interfaccia, viene sviluppato un semplice procedimento approssimato per stabilire se esiste un intervallo di livelli quasi continui corrispondenti a stati legati allo strato di accumulazione di una giunzione isolante-semiconduttore opportunamente polarizzata. Il procedimento, in quanto determina la distanza fra tali livelli, ne dà anche la densità, quindi la distribuzione delle sottobande di stati legati nel problema tridimensionale. Il procedimento è utile in una varietà di problemi connessi ai suddetti strati di accumulazione, ad esempio nello studio dell'iniezione di elettroni attraverso l'ossido di gate di un dispositivo MOS per effetto Fowler-Nordheim. Lo stesso procedimento può essere utilizzato anche per gli strati di inversione.
Referenze Bibliografiche
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Con il contributo del Ministero per i Beni e le Attività Culturali